在不同的热氧化温度下，用液相生长热氧化法（RGTO）制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响，并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。
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...、脉冲激光蒸发法［6】、化学气相沉积法CVDt7】（包括MOCVD、PECVD、MPCVD）、双离子束溅射沉积法【酊、液延生长一热氧化（RGTO）19］、电子束蒸发法【州等制备了Sn02薄膜。
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二氧化锡膜气敏传感器的最新研究成果-工控技术中心-西部工控网 1、 SnO2膜传感器的研究 Sberveglieri G.等人[3]提出了液延生长—热氧化（Rheotaxial Growth and Thermal Oxidation， RGTO）技术，该方法是采用磁控溅射在温度稍高于Sn熔点（232°C）的基片上沉积约150nm厚度的Sn膜层，
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