在不同的热氧化温度下，用液相生长热氧化法（RGTO）制备了SnO2薄膜。探讨了热氧化温度对SnO2薄膜结构和成分的影响，并进一步研究了不同热氧化温度下制备的SnO2薄膜的气敏性能。
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薄膜制备方法，即(1）RGTO（液延生长热氧化）、（2）室温直流溅射Sn然后热氧化以及(3）Ar：O_2(8：2）混合气氛下室温射频溅射SnO_2然后退火。
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热氧化(Rheotaxial Growth And Thermal Oxidation)
二氧化锡膜气敏传感器的最新研究成果-工控技术中心-西部工控网 1、 SnO2膜传感器的研究 Sberveglieri G.等人[3]提出了液延生长—热氧化（Rheotaxial Growth and Thermal Oxidation， RGTO）技术，该方法是采用磁控溅射在温度稍高于Sn熔点（232°C）的基片上沉积约150nm厚度的Sn膜层，
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