目前常用的制备 PZT 铁电薄膜的方法有溶胶凝胶法 (Sol-gel) 、射频磁控溅射(RF Sputtering)、金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 、脉冲激光 沉积(PLD) 、分子束外延(MBE) 等。
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Rf-sputtering 射频溅射
RF Magnetron Sputtering 射频磁控溅射 ; 射频磁控溅射法
RF sputtering equipment 射频溅射设备
RF Sputtering InSb Film 溅射InSb薄膜
magnetron rf sputtering system 磁控射频溅射
reactive RF magnetron sputtering 反应rf磁控溅射
As following:1) BST thin films were prepared on Pt/SiO2/Si(100) substrates by RF sputtering, then annealed in the different temperature (550℃, 600℃, 650℃, 700℃, 750℃).
研究内容如下:1)用射频溅射在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备250nm左右的BST薄膜,然后对其进行不同温度(550℃、600℃、650℃、700℃、750℃)的常温退火处理。
参考来源 - 氧化物薄膜应力的X射线衍射表征与研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Dielectric breakdown of BST thin films prepared by RF sputtering is studied in this paper.
采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。
The reaction parameters such as the parameters of RF-sputtering, the category of the chelation and the environment of the solution are investigated.
研究溅射参数、络合剂与反应溶液环境等反应参数对制备过程的影响。
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