采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积...
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...备氮化硅薄膜主要有等离子增强型化学气相淀积法(PECVD)、低压化学气相淀积法(LPCVD)、射频等离子增强型化学气相淀积法(RF-PECVD)、光化学气相淀积法(光CVD)等等。等离子增强型化学气相淀积(PECVD)是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法。
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