利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮 InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼散射光...
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本文报道使用等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延生长高质量的GaN以及AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料的结果.由
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RF-MBE生长 RF-MBE growth
RF plasma MBE 射频等离子体分子束外延
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