...阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.
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...将共同开发新的材料与制程整合技术，好将hp的忆阻器技术由研发阶段，推向以电阻式随机存取内存(resistive random access memory，reram)形式呈现的商业化开发阶段。
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其中,基于薄膜材料白勺可逆电致电阻效应白勺阻变随机存取存储器(resistive random access memory, RRAM),因其具有简单白勺器件构造、低压低功耗操作、高速擦写和极佳白勺尺寸缩小性等优势,并且其材料和当前CM...
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一些人曾说，它只是有阻性的随机存取记忆体（Resistive Random Access Memory ，RRAM） 的一个版本。RRAM 在特定阈值电压开关，而记忆电阻则无法识别阈值电压。
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In this paper,we investigate into the design of PRAM(Phase Change Random Access Memory) and RRAM(Resistive Random Access Memory) in the quest for high density solutions of next generation nonvolatile memories.
本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。
参考来源 - 高密度非挥发存储体系的建模与设计·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Resistive random access memory (RRAM) is one of the most promising candidates for next generation of non-volatile memory.
在各种新型非挥发性存储器中，阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。
The invention provides an organic resistive random access memory and a preparation method thereof, which belong to the technical field of very large scale integrated circuit.
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。
The invention provides a polymorphic organic resistive random access memory and a preparation method, and belongs to the technical field of a super-large-scale integrated circuit.
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。
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