目前的固态非挥发性记忆体如快闪记忆体、铁电记忆体(FRAM)，甚至是实验性的电阻式记忆体(resistive RAM)，..
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现有的闪存制造工艺不能制造出15纳米或者更小规格的闪存颗粒，相变存储(Phase Change Memory)以及 电阻式存储器(Resistive RAM)，比如 惠普的Memristor也是一种趋势。
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Magneto-resistive RAM 磁电阻式内存
resistive-RAM 新型阻变存储器
resistive ram
电阻ram
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