最具广泛使用的方法便是结合物理性蚀刻与化学反应性蚀刻，即所谓的活性离子蚀刻(RIE, Reactive Ion Etch)，此种蚀刻方式兼具非等向性及高选择比等双重优点，蚀刻的进行主要靠化学反应来 达成，以获得高选择比。
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reactive ion etch resistance 耐活性离子腐蚀性
reactive ion etch system 活性离子腐蚀系统
Magnetron Reactive Ion Etch 磁电管反应离子刻蚀
Reactive ion etch mode 反应性离子蚀刻型
Deep Reactive Ion Etch 深度反应离子刻蚀 ; 深度反应离子蚀刻
reactive ion beam etch 活性离子束腐蚀
Reactive Ion Etch-RIE 平行电极刻蚀反应室
RIE-Reactive Ion Etch 反应离子刻蚀
And all of the foundries utilize similar equipment, which includes deep reactive ion etch tools and wafer bonders.
所有芯片制造厂都使用类似的设备，包括深反应离子蚀刻工具和晶片键合机。
The influence of chamber pressure, gas flow rate and RF power on micro loading effect in reactive ion etch of silicon dioxide is researched.
对二氧化硅反应离子刻蚀中反应室压力，刻蚀气体流量和射频功率等因素对刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响进行了研究。
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