IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg、Qgd和逆向恢复电荷(QRR)值极低，RDS(on)更较市场上其它高性能20V同步MOSFET改善了百分之三十，在10V下的典型RDS(on)为2.1mΩ(最大为2.7mOhm)。
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APT快恢复二极管介绍_电子资料文库 关键字:快恢复二极管;反向恢复电荷;功率因数校正 [gap=464]Keywords:fast recovery epitaxial diode;Qrr;power factor correction
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然而，由于eGaN功率元件缺少二极体反向恢复(QRR)，因而实际在电路内还更具性能优势。相反地，在低电压范围内，eGaN FET元件在电路的性能优势实际上并未像品质因素所描述的卓越，...
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QRR GW 壁挂式
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