IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg、Qgd和逆向恢复电荷(QRR)值极低，RDS(on)更较市场上其它高性能20V同步MOSFET改善了百分之三十，在10V下的典型RDS(on)为2.1mΩ(最大为2.7mOhm)。
基于44个网页-相关网页
APT快恢复二极管介绍_电子资料文库 关键字:快恢复二极管;反向恢复电荷;功率因数校正 [gap=464]Keywords:fast recovery epitaxial diode;Qrr;power factor correction
基于24个网页-相关网页
然而，由于eGaN功率元件缺少二极体反向恢复(QRR)，因而实际在电路内还更具性能优势。相反地，在低电压范围内，eGaN FET元件在电路的性能优势实际上并未像品质因素所描述的卓越，...
基于24个网页-相关网页
包括低栅电荷量、低输入电容、低输入电阻、内部二极管的快速恢复、极低的恢复电荷量(Qrr)、极短的恢复时间(Trr)和业内最好的软开关性能 在内的技术参数让新产品领先于竞争对手。
基于16个网页-相关网页
应用推荐