所有的芯片都只有一个多晶硅层（polysilicon layer），其余的都是用于为了构成芯片逻辑而作晶体管连接的金属层（metal layer），晶体管只位于多晶硅层。
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The first polysilicon layer also includes a void therein.
第一多晶硅层还包括在其中的空隙。
A transistor may be formed with a first polysilicon layer covered by a dielectric.
晶体管可以形成为具有被电介质覆盖的第一多晶硅层。
An impurity doped polysilicon layer is defined over the two insulator regions and the anti-fuse.
杂质掺杂多晶硅层设置于两绝缘区与反熔丝上。
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