...第二NMOS晶体管(128)，其具有耦合到电力共用的源极及耦合所述第一NMOS晶体管(142)的源极的漏极；第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管(126)，其具有耦合到所述集成电路信号垫及所述第二NMOS晶体管(128)的所述漏极的漏极；第二PMOS晶体管(124)，其具有耦合到所...
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电路区204包括各种晶体管，例如N沟道金属氧化物半导体(NMOS)或P沟道金属氧化物半导体(PMOS)，电阻、电容、电感等无源器件，以及它们之间的金属互联线。
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前言周期性介孔氧化硅材料(PMOs)是以结构为(EtO)3Si-R-Si(OEt)3的倍半硅氧烷(silsesquioxane)作为有机硅前躯体而合成的骨架内含有有机桥联基团的新型介孔材料。
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pmos transistor p 沟道金属氧化物半导体晶体管
PMOS NMOS CMOS 根据沟道
硅栅pmos集成电路 silicon grid PMOS type integrated circuit
gate-VDD PMOS 型半导体
high voltage PMOS device 高压PMOS器件
pMOS FETs pMOS场效应管
PMOS RAM PMOS随机存取存储器
HV PMOS 高压PMOS
PMOS FET 的过压保护
Some PMOs， however， do coordinate and manage related projects.
但是，有些项目管理办公室的确协调和管理互相联系的项目。
A method is discussed to improve stability of PMOS dosimeters.
讨论了在PMOS剂量计中提高稳定性的办法。
Based on the PMOS bulk-driven technique, an ultra-low voltage operational amplifier is proposed.
基于PMOS衬底驱动技术，设计实现了超低压运算放大器。
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