等离子体浸没离子注入(PIII)是一种技术,用于修改的各种产品的材料的表面特性,例如半导体结和氧化物的制造,以及用于生产高强度,重量轻,耐腐蚀的航空航天...
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之后又发明了等离子体浸没离子注入技术(简称PIII[26])、金属离子注入和沉积相结 合的处理工艺(简称PIII&D[27]),广泛应用在生物医用材料和精密零部件等领域。
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PIII-M 图拉丁
Intel PIII-M 处理器型号
NY-PIII 掌纹捺印膜
PIII-S 图拉丁 ; 图拉丁奔三
Intel PIII 处理器类型 ; 处理器型号
PIII-D 等离子浸没离子注入和沉积
IMMC - pIII 第三阶段
duron piii 与雷鸟
PIII Tualatin 图拉丁
Influence of pulse duration on deflecting electric field PIII was investigated in this paper.
研究了采用偏转电场法注入时注入电压脉冲宽度对注入效果的影响。
In this paper, sheath scaling for PIII into a spherical target is investigated using numerical methods.
本文对球形靶的鞘层尺度进行了数值求解、讨论了注入参数对鞘层尺度的影响。
Modification effect of hot filament gas discharge PIII was compared with that of radio-frequency (RF) glow discharge PIII.
分析比较了灯丝放电PIII和射频辉光放电PIII对基体表面进行氮离子注入后的改性效果。
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