赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)是一种性能十分优异的低噪声放大器件,具有很低的本底噪声和非常高的载流子迁移率,这使得pHEMT器件在高频高增益的应用场合具有不可...
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GaAs PHEMT 高电子迁移率电晶体 ; 高电子迁移率晶体管
PHEMT mixer PHEMT混频器
power PHEMT 功率PHEMT
PHEMT device PHEMT器件
功率PHEMT power PHEMT
enhancement PHEMT 增强型赝配高电子迁移率晶体管
GaAs power PHEMT 砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
Resistive pHEMT Mixer 电阻型场效应管混频器
The principles, design method and process of PHEMT frequency doubler are presented particularly.
其中重点论述了有源倍频器的工作原理、设计方法以及详细的设计过程。
Firstly, with the I-V curve and s parameters of the PHEMT, it's nonlinear equivalent circuit is fitted.
首先利用厂家提供的PHEMT直流i - V特性曲线及小信号s参数得出了其非线性等效电路模型。
These results indicate that the EEHEMT1 model can be used for extracting the component parameters of an enhancement-mode PHEMT.
结果表明EEHEMT 1模型可以用于提取增强型PHEMT参数，并且具有可操作性。
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