...罩，以CF4 / SF6 +O2 作为反应气体， 在石英上蚀刻出宽度为100 nm，深度为600 nm之 沟槽，以制作相位移光罩(Phase Shifting Mask)。
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phase-shifting mask 移相掩模
attenuated phase-shifting mask 衰减相移掩模
Chromeless phase-shifting mask 无铬相移掩膜
attenuation phase shifting mask 衰减相移掩模
alternating phase shifting mask 交替移相掩模
It utilizes optical phase shifting mask to improve resolution limit for an existing wafer stepper.
它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。
参考来源 - ULSI相移光刻技术 in C·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
It utilizes optical phase shifting mask to improve resolution limit for an existing wafer stepper.
它应用了光学相移掩模方法，大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。
The principle, making method, technology and procedure for the rim phase shifting mask are described. Some experimental results are given.
论述了边缘相移掩模的原理、制作方法和工艺步骤，并给出了一些实验结果。
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