Phase Change Memory 相变存储器 ; 相变内存 ; 相变化内存 ; 相变化存储器
chalcogenide phase-change memory 硫化物相变存储器
phase change memory and switch 相变储存器与开关
phase-change random access memory 相变随机存储器 ; 相变随机存储记忆体 ; 存储器
phase change random access memory 相变内存技术
phase-change semiconductor memory 相变型半导体存储器
Then, the principles of phase change memory were discussed, including materials analysis, cell structure and basic performances.
详细介绍了非挥发性相变存储器发展历史，重点论述了相变存储器的原理，包括材料分析、器件结构及基本性能等，通过和其他存储器比较，阐述了相变存储器的主要优点，调研了目前国际最新的研发状况及相变存储器关键技术的研究重点。
参考来源 - 相变存储器存储单元设计与关键制备工艺As the key functional material of the Phase change memory application, phase change material interests researchers around the world for the memory application and the delicacy of itself.
相变材料是相变存储器的核心功能材料，其广泛的应用前景和诸方面的微妙性质引发了各国学者的研究兴趣。
参考来源 - 相变材料研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
The new material offers an approach that is radically different from a promising type of storage called "phase-change memory" being pursued by I.B.M., Intel and other companies.
这种新材料提供的方法完全不同于i.b.m .英特尔和其他公司在设计的被称为“相变存储器”的新型存储。
The invention relates to a phase change memory.
本发明有关于一种相变化存储器。
A phase change memory formed by a plurality of phase change memory devices having a chalcogenide memory region (28) extending over an own heater (26).
一种由多个具有在自身的加热体(26)上方延伸的硫属化物存储区(28)的相变存储器件形成的相变存储器。
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