...放电为基础的等离子体技术，以其自身的优越性已经广泛应用于材料加工、表面改性、表面刻蚀、磁控溅射镀膜和化学气相沉积（PEVCD）等科学研究及应用领域。特别是近年来在合成高质量和稳定的微晶硅薄膜（肛一Si：日），用氢稀释甲烷或乙烯用于碳的合成，进一步合...
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深反应离子刻蚀（DRIE）及低温等离子体增强化学气相沉积（PEVCD）等离子处理系统采用感应耦合等离子（ICP）蚀刻或沉底部电极模块化设计理念，方便整体系统的组装及配置；系统集成配备装载互锁。
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等离子化学气相沉积（PEVCD）：PEVCD被使用来在硅片上沉积氮化硅材料，是在400℃的温度下通过物理化学反应产生SiNx:H的过程。
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