本文提出了一个单一的多晶硅浮动栅极装置（FGD）的表征结果在0.35妈妈部分耗尽绝缘体上硅（PDSOI）技术。
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从外表 上看，FDSOI晶体管与传统的部分耗尽式平面型晶体管（PDSOI）并没有太大的区别，前者仍然采用平面型的结构，不过FDSOI中最顶层，即位于埋入 式氧化层结构顶部的硅膜厚度相比传统的PDSOI要减薄...
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...硕士论文 2001年 功能材料与器件学报 SOI器件中浮体效应的研究进展 1引言SOI器件根据顶层硅膜厚可分为厚膜部分耗尽SOI（PDSOI）器件和薄膜全耗尽SOI（FDSOI）器件。
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