...，可数据擦写、读取都很慢。所以，尽管这些存储器在各种地方广泛使用，科学家总希望找到一种更完美的下一代存储器。相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器：它通过电流和磁场的开关，让存储材料在晶体和非晶体间切换。
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铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)和电阻式随机存取存储器(RERAM)是能够对存储器单元随机存取的非易失性随机存取存储器装置的种类。
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...越来越不耐用了：MCL NAND闪存再25nm时代还有3000-5000次的编程/擦写循环(P/E)， 旺宏电子的这一成果巧妙地利用了相变内存(PCRAM)的技术，设备连接电源并待机的时候也可以这么做，毕竟宏旺电子并不是一家大企业，用于加热NAND闪存的存储单元，因为它经过一次P/...
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【摘要】： 相变存储器PCRAM(phase change random access memory)是一种以硫系化合物为存储介质的随机存储器。其利用电能使材料在晶态和非晶态之间相互变换实现数据的写入与擦除。
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PCRAM chip 相变存储器芯片
This showed that the ELD process can satisfy the demands of PCRAM device application, as well as device performance improvement.
通过研究器件的电流-电压特性表明，化学镀方法可以满足器件应用要求。
Diode is considered to be the best driver of high-density phase change Random Access Memory (PCRAM) for its advantage of the cell area.
由于二极管在单元尺寸上的优势，被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。
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