...以下方程计算了升压 FET 中的功率损耗 (PQ1) [3][5]，并表明相对于传统 PFC 而言，当线电压较低时，寄生 FET 的电容损耗 (PCOSS) 以及 FET 的转换损耗 (PFET_TR) 在升压跟随器 PFC 中会小很多。
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PCOSS-Fellow 特聘研究员
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