p型si
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P-type Si substrate 背面
p-type si p型si
p-type pdy-Si p型多晶硅
p type si
P型si
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Both P-type and N-type crystalline si have been doped using arsenic, phosphor and boron. The electrical and opto-electrical characteristics of the doping area are investigated.
型和N型两种硅单晶进行了砷、磷和硼的掺杂,并研究了掺杂区的电和光电特性。
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