p n i p transistor 晶体管
overlap p transistor 覆盖式晶体管
p-n-p transistor p-n-p 晶体管
P-N-P transistor PN P型晶体管
n p n transistor 晶体管
n-p-n transistor n-p- 晶体管 ; 型晶体管
n-p-n transistor n-p 晶体管
pmos transistor p 沟道金属氧化物半导体晶体管
P-type transistor P型晶体管
p transistor
p晶体管
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A semiconductor device structure (10) uses two semiconductor layers (16 & 20) to separately optimize N and P channel transistor carrier mobility.
一种半导体器件结构（10），其使用两个半导体层（16&20）以 分别优化N和P沟道晶体管载流子迁移率。
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