在液晶显示器领域，优选基于多晶硅的薄膜晶体管(TFT)，原因是这种晶体管能够更有效地传输电子。基于多晶硅(p-Si)的硅晶体管的特征是其迁移率高于基于无定形硅(a-Si)的晶体管。这样能够制造更小和更快的晶体管，最终制造更亮和更快速的显示器。
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p-Si TFT 多晶硅薄膜晶体管 ; 薄膜晶体管 ; 多晶硅
p Si TFT 非晶质硅
P-Si TFTs 多晶硅薄膜晶体管
p si 磅
p si thin film 多晶硅薄膜
p si single crystal p型硅单晶
Ti-P-Si-Mo compound passivation 钛磷硅钼复合钝化
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ABBREVIATION for pounds per square inch 磅每平方英寸
N the 23rd letter of the Greek alphabet (Ψ, ψ), a composite consonant, transliterated as ps 希腊语的第二十三个字母
The result indicated that: 1. P-RE combination modification can modify both the eutectic Si and primary Si of the hypereutectic Al-Si alloy at the same time.
研究结果表明：1 . P - RE复合变质对过共晶铝硅合金的初晶硅和共晶硅都具有良好的变质和细化作用。
The pipes could be fabricated by the brass H70 containing P, Sn, Si, Sb and Al.
采用含磷、锡、硅、锑和铝等元素的70黄铜制造散热管。
The good effect has been gained on the hypereutectic Al Si alloys treated with some double refining and modifying agents such as P, S, RE, Sr, Na, C, etc.
采用磷、硫、稀土、锶、钠、碳等进行双重细化变质处理过共晶铝硅合金已取得了良好的效果。
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