但他们的重点放在 HEMT 器件输出电导（output conductance）与跨导 （transconductance）的不一致上 [1.31] 。 国内在GaN 材料和器件方面已经开展了多年的研究工作，主要集中于光电子 领域。
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During the parameter extraction the accuracy of output conductance is considered.
参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。
The degradations of device output conductance, subthreshold conduction and RF characteristics are also analyzed.
对器件的亚阈区导电和RF等特性的热载流子退化，也作了相应的分析。
In terms of transient characteristics, the gate-lag phenomenon and the frequency dispersion of transconductance (gm) and output conductance will be found.
在瞬态特性上，引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。
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