但他们的重点放在 HEMT 器件输出电导（output conductance）与跨导 （transconductance）的不一致上 [1.31] 。 国内在GaN 材料和器件方面已经开展了多年的研究工作，主要集中于光电子 领域。
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During the parameter extraction the accuracy of output conductance is considered.
参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。
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The degradations of device output conductance, subthreshold conduction and RF characteristics are also analyzed.
对器件的亚阈区导电和RF等特性的热载流子退化，也作了相应的分析。
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