瞬态电容的方法被用来分析低压有机金属汽相外延（OMVPE），三乙基镓（TEGa）或三甲基镓（TMGa），作为烷基源生长的GaN样品。
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系统的研究比较增加了低压有机金属气相外延（OMVPE）使用三乙基铟，磷化氢和tertiarybutylphosphine的的源（TBP）的InP外延层的质量。
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