在这封信中，我们报告的Ga0.51In0.49P在Si外延生长的GaAs夹层低压有机金属化学气相沉积（OMCVD）的初步结果。的表面形貌和结晶质量的膜被发现是严重依赖于初始的GaAs缓冲层的生长参数。
基于42个网页-相关网页
也有报道利 用其它专门的气相金属有机分子运用金属有机化学气相沉积法（OMCVD）来制备 氧化钨薄膜12…。
基于12个网页-相关网页
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动