在SOI层中的位错，无定形沉淀物，和氧化诱生堆垛层错（OISF）。的演变?
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氧化感应叠层缺陷(Oxidation Induced Stacking Fault)
氧化层错oxidation induced stacking fault(OISF)：晶片表面存在机械损伤，杂质沾污和微缺陷等时，在热氧化过程中其近表面层长大或转化的层错。
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这种损伤绝大多数低于光学成象极限， 甚至扫描电镜（sEM）也不能发现，经热氧化则产生规定密度的热氧化层错（OISF） 或位错作为吸除源（Geterring Sinks）。
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