为 G＝cPd嘏 （3—14） 式中：A为有机层的面积，所用光刻版对这种有机／无机异质结（OIHJ）的光刻面积A＝4× lO％m2，d，为有机层的厚度，取d，＝200nm．代入式（3—14）可求得这种OIHJ的有机层电容 Co＝26pF． 在不考虑有...
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从它们的能带结构出发，通过实验测试分析了这种有机／无机半导体异质结（OIHJ）的电容-电压及电流-电压特性。
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