...究主要将不同 Sr/Bi 含量比的 SBT 铁电薄 二、前 言膜沈积在 Al2O310nm/Si 基材的 MFIS 结构上来 在非挥发性铁电记忆体（NVFRAM）中，研究不同高温度热处理gt800oC条件对 SBT 薄膜 以金属-铁电-绝缘层-半导体MFIS为主的单一在 MFIS 结构上电性变化的影响。
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Ferroelectric fatigue is much fatal for the electric apparatus based on the switchable polarization, such as non-volatile random access memories (NVFRAM).
铁电材料的疲劳特性是影响依赖可反转极化工作的电子器件性能的关键，例如非易失性铁电存储器。
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