图一 (a)传统 ESD 保护电路闸极接地之N 型金氧半 场效电晶体(NMOSFET)， (b)串叠结构的 N 型金氧半场效电晶体(Stacked NMOSFET)。 5 图二 串叠结构的 N 型金氧半场效电晶体布局方式。
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双栅动态阈值SOI NMOSFET数值模拟-毕业论文网 Key words： Double-gate structure; dynamic threshold; FDSOI; NMOSFET [gap=227]关键词： 双栅结构；动态阈值；全耗尽绝缘体上硅； NMOS场效应晶体管
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...的幅度只是用来调制脉冲载波信号的宽度，功率放大器完全处于开关状态，大幅度减少功率输出器件的自身功耗。采用场效应管（NMOSFET）的全桥结构+巴特沃特低通滤波器的架构，实现了大功率、超大功率的警报信号功率要求，解决了D类放大器在防空电声警报器中应用的难...
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deep submicron NMOSFET 深亚微米NMOSFET
vertical nMOSFET 纵向MOSFET
grooved-gate NMOSFET 槽栅NMOSFET
extended drain NMOSFET 延伸漏极N型MOS
buried channel NMOSFET 埋沟N型MOSFET
ultra-deep submicronmeter nMOSFET 超深亚微米nMOSFET
Also, the added schottky diode can be easily realized by schottky contact in the drain of the NMOSFET, which does not add chip area.
且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现，工艺简明可行又无须增加芯片面积。
When VVMOSFET and NMOSFET are integrated into a monolithic integrated circuit, the values of threshold voltage tolerance between them are estimated theoretically and compared with process tests.
本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果，二者符合得较好。
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