AMD放弃业界普遍采用的多晶硅(Polysilicon)作为晶体管闸门的原料，改用称为硅化镍(Nickel Silicide)的原料，为晶体管装设“金属闸门”。
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nickel-silicide 镍硅化物
nickel silicide film 硅化镍膜
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Polycrystalline nickel silicide film formed on thin oxide by rapid thermal annealing (RTA) has been investigated by capacitance voltage ( C V ) measurements.
本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火（RTA）形成的多晶硅化镍膜的电特性。
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