...截面；图6是根据本发明的一个实施例的具有SiGe阱的n沟道沟槽栅功率MOSFET的横截面；图7示出图6所示的MOSFET的净掺杂(net doping)和锗摩尔分数；图8是根据本发明的一个实施例的具有SiGe阱区的沟槽栅功率MOSFET的制造方法的流程图；图9是通过结合本发明的一个实...
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