但是降低供应电压又会影响驱动能力与杂讯,所以未來设计趋势势必朝向多供应电压(Multi-Vdd)、多臨界电压(Multi-Vt)、多氧化层厚度(Multi-Tox),并且配合最佳化的电源管理。
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它支持内嵌多阈值电压(multi-Vt,)元件、自动多电压设计、采用同步多角优化和多电压域(multi-Vdd)的自适应电压缩放以及物理实现等各种先进技术,可满足领先代工厂的纳米动态功耗和漏电功耗需求。
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