...及隧穿磁电阻(TMR)效应、基于量子阱态的自旋共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应和新型磁子阀效应等物理研究，并简要介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)和新型磁子阀及其磁子阀效应等在自旋电子学核心器件方面的重要代表性应用与研发进展，例如自旋存储器/磁...
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MTJ-NB 梦特娇
magnetic tunnel junction-MTJ 磁通道
垂直MTJ pMTJ
Studio MTJ 出版者
MTJ LIMITED 公司名称
MTJ Magnetic Tunnel Junction 磁性隧道连接
Common materials for the MTJ include chromium dioxide and iron-cobalt alloys.
制作磁隧道结的通用材料有二氧化铬和铁钴合金。
Tunneling magnetoresistance (TMR) effect of MTJ samples has been successfully studied.
研究MTJ样品的隧道结磁电阻(TMR)效应。
The memory element includes a magnetic tunnel junction (MTJ) element and an electrode.
存储器组件包括一磁穿隧接 面（MTJ）组件与一电极。
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