...专利名称利用磁畴运动的磁存储器的制作方法 技术领域本发明涉及一种磁存储器,更具体地,涉及一种其中均由磁畴构成的数据位可以以阵列来存储且能发生磁畴运动的磁存储器。 背景技术 磁随机存储器(MRAM)是非易失性磁存储器和新型固态磁存储器之一,其使用纳米磁材料独有的基于自旋相关传导的磁阻效应。
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STT-RAM is a second-generation MRAM technology that is said to solve some of the problems posed by conventional MRAM structures.
通常认为STT-RAM是MRAM技术的第二代技术,这项技术解决了常规MRAM的一些问题。
MRAM is non-volatile memory, it is also power efficient and operates at ultra-high speed, the companies said in a joint statement.
据两家公司的联合声明称,MRAM是一种非易失性存储技术,它具备速度极快和耗电量低的优点。
IBM, collaborating with Germany's Infineon Technologies, has developed a one megabit (million bit) MRAM chip at its laboratories in East Fishkill, New York.
IBM与德国英飞凌技术公司合作,在其位于纽约东费什基尔的实验室开发出一块1兆(百万位)MRAM芯片。
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