技术介绍MRAM(磁随机存取存储器)是使用具有磁阻效应的存储元件作为用于存储信息的存储单元的存储器件。
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在这些技术中，F-RAM（铁电随机存储器）、MRAM（磁性随机存储器）和PRAM（相位随机存储器）是最典型的代表。
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磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory)
...专利名称利用磁畴运动的磁存储器的制作方法 技术领域本发明涉及一种磁存储器，更具体地，涉及一种其中均由磁畴构成的数据位可以以阵列来存储且能发生磁畴运动的磁存储器。 背景技术 磁随机存储器(MRAM)是非易失性磁存储器和新型固态磁存储器之一，其使用纳米磁材料独有的基于自旋相关传导的磁阻效应。
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磁阻随机存取存储器（MRAM）：近三十年来这项技术屡见报端，但却一直没有切中要害的技术出现。其最简单的形式是：铁磁元件通过元件的极性来存储数据。
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