折叠式金属化外遮阳幕（MOS D）,个人...
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buried d channel mos 埋沟金属氧化物半导体
grooved d gate mos transistor 型栅金属氧化物半导体晶体管
mos d
金属氧化物半导体d
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The algorithm applies to both enhancement (e -) and depletion (d -) MOS and the strict solution of Poisson's equation by numerical method is avoided.
这种算法对增强(e -)和耗尽(D -)型MOS器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。
youdao
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