高达5.8×1020 cm-3的掺杂水平的p型GaAs的金属有机物分子束外延（MOMBE）用碳（C）作为掺杂剂已经被生长。流动性和少数载流子的扩散长度的C-掺杂MOMBE的层相比，在掺杂MBE层。
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在InGaAs或砷化镓外延生长的有机金属分子束外延（MOMBE），V组氢化物可能会被破解，或结合在一个单一的流之前enetering的饼干。
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产品介绍：MO源是先进的金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料，其优异的电学、光学和磁学等性能，可将半导体和集成电路推向更高的频率、更快的速度、更...
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