摘要: 在超高真空中采用分子束外延(molecular beam epitaxial)技术进行C60分子在硅(111)-7×7表面的生长,并利用扫描隧道显微镜进行原位研究.
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molecular beam epitaxial growth system 分子束磊晶生长系统
molecular beam epitaxial si 分子束外延硅
molecular beam epitaxial growth 分子束外延生长
molecular beam epitaxial
分子束外延
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