...上；一活性发光层，其材质为氮化铟镓(InGaN)，位于该n型氮化镓(GaN)层上；一p型被覆层(claddinglayer)，其材质为镁掺杂(Mg-doped)氮化铝铟(Al1-xInxN)，其中0≤X＜1，且位于该性发光层上；一p型接触层，其材质为氮化镓(GaN)，位于该p型被覆层上；一位障缓冲层，...
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Mg doped GaN Mg掺杂GaN
Mg doped Mg掺杂
Mg-doped GaN Mg掺杂GaN
Cu Mg doped LiF 掺CuMgLiF
Mg-doped wurtzite ZnO Mg掺杂ZnO
mg-doped lithium niobate 掺镁铌酸锂
Sr-and Mg-doped gallate 锶镁掺杂的镓酸镧
mg-doped lithium nickelate 锂镍镁氧化合物
Mg doped lithium niobate crystal 掺镁铌酸锂晶体
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