化学气相沉积(CVD)及金属蚀刻(Metal Etch),在不同制程上会制造多种生成物,如氯化氨在反应腔体后段,真空管路内冷却,表面上容易凝结,这种沉积会影响管路通畅及降低角阀 开关...
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metal etch resist 金属腐蚀用光刻胶
Kodak Metal Etch Resist 柯达金属抗蚀剂
Metal film etch 金属薄膜蚀刻
metal trench Etch 金属沟槽刻蚀工艺
Based on 3.0um Al-gate process and studied the characteristics of the process, adopt Silicon Local Oxidation and P-N junction technology to realize device isolation. We developed a new technology: 2.0um Al-gate process, conquered roughness issue which caused by metal etch.
在深入研究了铝栅工艺特性的基础上,采用硅的局部氧化工艺与P-N结隔离工艺相结合的技术,成功地开发出2.0um超小型铝栅工艺,克服了3.0um工艺中栅控电压能力弱、金属刻蚀工艺复杂等技术难题,减小了漏电的风险并获得了很高的良品率。
参考来源 - 铝栅工艺特征尺寸小型化的研究与应用·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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