自旋金属氧化硅（metal-oxide-silicon，MOS）场效应管f39，401，它利用门电压来调节 半导体通道边缘的肖特基势垒的高度和厚度来控制电流的大小。
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... MOS Metal-oxide-semiconductor 金属-氧化物-半导体 Metal-oxide-silicon 金-氧化物-硅 MPT Main power transformer 主变压器 ...
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metal oxide silicon 金氧硅 ; 金属氧化硅
Diffused Metal Oxide Silicon 扩散金属氧化物硅
Complementary Metal-oxide Silicon 补金属氧化合物 ; 硅基互补金属氧化物 ; 互补金属氧化合物 ; 补金属氧化物
metal oxide silicon transistor 金氧硅晶体管
metal oxide silicon field-effect transistor 金氧硅场效晶体管
complementary metal oxide silicon 互补性金属氧化物硅片
Complementary-Metal Oxide Silicon 及互补金属氧化合物 ; 氧化合物
The heart of its original embodiment was a metal-oxide-silicon sandwich , with initial letters responsible for the acronym MOS , as in MOSFET and MOS technology.
体现了其原有的核心是一个金属氧化物硅三明治的首字母缩写马鞍山负责，如MOSFET和MOS技术。
A high density recording medium with a super-resolution near-field structure including a mask layer comprising high melting point metal oxide or silicon oxide is provided.
提供一种包括包含高熔点金属氧化物或氧化硅的掩蔽层的具有超分辨率近场结构的高密度记录介质。
Most of the fabrication methods of silicon single-electron transistors can be perfectly compatible with the si complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology.
大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。
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