金属-氧化层-半导体-场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管（field-effect transistor...
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...型,模拟了一种带有Si钝化层和高k氧化物层的金属-氧化层-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的电学特性。
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金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管（field-effect transistor...
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Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应管
MOSFET metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管
metal-oxide-semiconductor type field-effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管
metal-oxide-semiconductor type field effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
A semiconductor device may include at least one metal oxide field-effect transistor (MOSFET).
一种半导体器件，可以包括至少一个金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。
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