由于栅极的物理结构不同，现有三种场效应晶体管：金属半导体场效应管 （MESFET），在它的栅极上，金属同半导体直接接触，出现肖特基势垒，形成耗 尽层；结型场效应管（JFET），在它的栅极形成pn结，也形成耗尽层...
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...路和微波电路等以硅质料为根蒂根基的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和以砷化镓质料为根蒂根基的肖特基势垒栅场效应管(MESFET)是两种最重要的场效应形成晶体体管，别离为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的根蒂根基部件静电感到形成晶体体管静电感到形...
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...产微波通讯用元件，其主要种类有3种，分别为PHEMT(高速电子移动电晶体)、HBT(异质接面双极电晶体)、MESFET(金属半导体场效电晶体)，被广泛使用在商务行动服务与手机上，全球微波通讯用元件市场预估在2002年与2003年均有2成以上的成长率，前段所述的MOCVD磊晶法...
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GaAs MESFET 晶体管 ; 场效应管 ; 金属半导体场效应管 ; 砷化镓金属化半导体场效应晶体管
si mesfet 硅 ; 金属半导体场效应晶体管 ; 硅金属半导体场效应晶体管
MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体
MESFET amplifier 金半场效晶体管放大器
SiC MESFET 金属半导体场效应管
amplifier MESFET 金半场效晶体管放大器
dual-gate MESFET 双栅金属
MESFET MobileEndSystem 移动终端系统
mesfet metal semiconductor 肖特基场效应管
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And with a good breakdown performance, MESFET can be widely used in high-voltage field.
具有较好的击穿特性会使其更广泛地应用于高压领域。
This method can effectively evaluate the quality of MESFET before the microwave characteristics of devices are measured.
该法可在MESFET进行微波噪声性能测试之前，有效地鉴别器件质量的优劣。
This paper discusses a switching model of GaAs MESFET. It is suitable for MMIC design with broad frequency characteristic.
提出了一种MESFET开关的模型——附加栅控开关模型，适用于MMIC电路的设计，具有很好的宽带微波特性。
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