通过快速低温化学气相沉积 (LTCVD)，本品可用于无定形硅、外延硅和硅基电介质的沉积。2通过分子束外延 (MBE)，与锗的固体原料相结合，还可用于硅锗薄膜的外延生长。
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低温化学汽相淀积(LTCVD)技术是制备这种介质膜的特别有希望的方法。在InSb单晶衬底上淀积SiO_2得到的化学系统,近来被推荐用于制备红外CCD成象列阵。
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