最后,根据螺位错形成与滑移机制,建立了低温硅(LT-Si)使赝晶SiGe在特征厚度以下即可发生弛豫与可降低外延材料中位错密度的模型；并据其设计的实验测试结果发现,有机结合LT-Si技术与离...
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