SOD的优点为填洞能力佳，可达局部平坦化(Local Planarization)，工艺设备便宜。缺点为薄膜中易含有机溶液物质，其挥发会造成介质窗的毒化(Via Poisoning)和剥离。
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local planarization
当地整平
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At the present time, chemical mechanical planarization (CMP) is the most effective technology for global and local planarization of the wafer in IC manufacturing.
目前，化学机械抛光技术(CMP)被认为是能够实现晶圆表面局部平坦化和全局平坦化的最佳方法。
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