闩锁向上相邻的一个高压横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）的CMOS特性已被实验研究。虽然已经发现，保持电压和保持电流的CMOS不强烈依赖于电源的移动设备操作，已发现的触发电压的电源装置...
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Controlled hole injection LIGBT (CI LIGBT) is proposed in the paper, which can effectively control the hole injection with high anode voltage, and its latch up free characteristics can be improved.
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管(CI LIGBT)，可有效控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的抗闩锁性能。
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