例如，晶体管120可以是场效应晶体管(FET)(例如，金属氧化物半导体FET(MOSFET)、横向扩散MOSFET(LDMOSFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等等)，该场效应晶体管包括栅极(控制端)、源极(第一导电端)和漏极(第二导电端)。
基于1个网页-相关网页
横向双扩散MOSFET
The novel LDMOSFET did not degrade the advantage of SOI structure's low leakage current and parasitic capacitance, which also suppressed the self-heating effects and floating body effects.
工艺和性能模拟分析表明，此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性，而且能抑制自加热效应和浮体效应。
youdao
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动