由于越来越多的关注, 横向扩散MOS ( LDMOS )晶体管为电力电子技术在高能量物理(HEP)实验的一部分,总电离剂量(TID)的效果已被实验测量他们的电气性能。
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RF LDMOS 半导体 ; 射频横向双扩散场效应管 ; 发射器
LDMOS FET 射频功率放大器 ; 硅横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
RF Power LDMOS 射频功率LDMOS晶体管 ; 射频功率LDMOS
HV LDMOS 高压横向扩散金属氧化物半导体
N-LDMOS N型横向双扩散金属氧化物晶体管
Single LDMOS 单路LDMOS
LDMOS transistor LDMOS晶体管
以上来源于: WordNet
Therefore, LDMOS model is of great significance.
因此,对LDMOS模型的研究意义重大。
The output characteristics of the RF power LDMOS are greatly affected by the parasitic capacitance.
射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性。
The new devices have twice the RF bandwidth of LDMOS, so that one power amplifier (PA) can support multiple operating frequencies.
新的设备具有的LDMOS的射频带宽的两倍,这样,一个功率放大器(PA)的可支持多个工作频率。
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