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ldmos

  • 高压场效应管

网络释义专业释义英英释义

  横向扩散金属氧化物半导体

横向扩散金属氧化物半导体LDMOS)是大功率射频设计运用的主导技术。十年前,行业采用50V的漏极电压,以达到每个晶体管1kW的输出功率。

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  晶体管

名称:RF功率晶体管(LDMOS):基站:0.8-1.0GHz晶体管

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  横向扩散MOS

由于越来越多的关注, 横向扩散MOSLDMOS )晶体管为电力电子技术在高能量物理(HEP)实验的一部分,总电离剂量(TID)的效果已被实验测量他们的电气性能。

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  半导体

该公司采用HV7工艺的第七代硅RF外侧分散金属氧化物半导体(LDMOS),在3.8GHz鸿沟内具有知足WiMAX基础设施的输入功率和线性机能。

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短语

RF LDMOS 半导体 ; 射频横向双扩散场效应管 ; 发射器

LDMOS FET 射频功率放大器 ; 硅横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

RF Power LDMOS 射频功率LDMOS晶体管 ; 射频功率LDMOS

HV LDMOS 高压横向扩散金属氧化物半导体

N-LDMOS N型横向双扩散金属氧化物晶体管

Single LDMOS 单路LDMOS

LDMOS transistor LDMOS晶体管

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  • 高压场效应管

·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress

LDMOS

  • abstract: LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductorSTMicroelectronics Application Note AN1226 - Understanding LDMOS device fundamentals) transistors are used in microwave/RF power amplifiers. These transistors are fabricated via an epitaxial silicon layer on a more highly doped silicon substrate.

以上来源于: WordNet

双语例句

  • Therefore, LDMOS model is of great significance.

    因此LDMOS模型研究意义重大

    youdao

  • The output characteristics of the RF power LDMOS are greatly affected by the parasitic capacitance.

    射频功率LDMOS寄生电容直接影响器件输出特性

    youdao

  • The new devices have twice the RF bandwidth of LDMOS, so that one power amplifier (PA) can support multiple operating frequencies.

    新的设备具有LDMOS射频带宽倍,这样一个功率放大器PA)的支持多个工作频率

    youdao

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