由于越来越多的关注, 横向扩散MOS ( LDMOS )晶体管为电力电子技术在高能量物理(HEP)实验的一部分,总电离剂量(TID)的效果已被实验测量他们的电气性能。
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RF LDMOS 半导体 ; 射频横向双扩散场效应管
LDMOS FET 射频功率放大器 ; 硅横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
RF Power LDMOS 射频功率LDMOS晶体管 ; 射频功率LDMOS
HV LDMOS 高压横向扩散金属氧化物半导体
N-LDMOS N型横向双扩散金属氧化物晶体管
Single LDMOS 单路LDMOS
LDMOS transistor LDMOS晶体管
以上来源于: WordNet
Therefore, LDMOS model is of great significance.
因此,对LDMOS模型的研究意义重大。
The process for this new structure is compatible with the normal P type LDMOS.
根据以上结构制定新工艺,该工艺与常规P型LDMOS兼容。
The output characteristics of the RF power LDMOS are greatly affected by the parasitic capacitance.
射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性。
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