...出了四种管子：①绝缘栅双极晶体管(IGBT)并已设计定型，其技术指标：10-20A/1000-1250V，Toff＜0.18μs；②横向绝缘晶体管(LDGBT)技术指标为：Toff= 关键词: 功率MOS器, 绝缘栅双板晶体管, 功效晶体管, 横向绝缘晶体管, 金属氧化物半导体器件, | 全部关键词 ..
基于1个网页-相关网页
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动