high-k gate dielectrics 栅极电介质 ; 高K栅介质 ; 甲状旁腺激素
k gate dielectrics
K栅电介质
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The MOSFET gate currents of high k gate dielectrics due to direct tunneling are investigated by using a new direct tunneling current model developed.
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型。
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